Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünyanın lider firmalarından biri olan Samsung Electronics, bugün yaptığı açıklamada sektörde bir ilke imza atarak, 32 gigabayt kapasiteli (GB) bellek modüllerinin toplu üretimine başlayacaklarını duyurdu.
Bu bellek modülleri 30 nanometre(nm) sınıfı 4 gigabit (Gb) kapasiteli DDR DRAM yongaları kullanan bulut bilişim ve ileri düzeyde sunucu sistemleri için büyük önem taşıyor. Samsung Electronics notebook üretiminin yanı sıra notebook bileşenleri üretiminde de lider. Tüm üretim alanlarında çevreci ürünler sağlımaya önem veren Samsung, çevreci bellek modülü üretimi ile de bu konuya bir katkı sağlıyor.
Samsung Electronics Türkiye BT Ürünleri Satış ve Pazarlama Müdürü Barış Kestep konuya ilişkin açıklamasında, “Bu modülle Samsung PC’lere, sunuculara ve mobil uygulamalara yönelik DRAM pazarındaki en yüksek düzeyde ürün ve çözüm üreticisi konumunu sağlamlaştırdı. Samsung olarak, bu yılın ikinci yarısında daha enerji-etkin özelliklere sahip, 20nm-sınıfı işlemci teknolojisine dayanan 4GB DDR DRAM çözümlerini pazara sunmayı planlıyoruz. Bu çözümlerimiz büyük hızla büyüyen çevreci BT bellek çözümleri pazarını önemli düzeyde büyütecek. Ayrıca, müşterilerimiz için optimum performansa sahip en çevreci bellek ürünlerini sunmaya da devam edeceğiz.” dedi.
Samsung’un 30nm-sınıfı 4GB DDR3 yongası, 40nm-sınıfı 4GB DDR3’e oranla yaklaşık yüzde 50 daha yüksek verimlilik sunuyor ve sonuç olarak bu yeni çözümün pazara hızlı bir giriş yaparak kısa zamanda başarıya ulaşması bekleniyor.
Samsung, 40nm-sınıfı 4GB DDR3 DRAN cihazlarını üretmeye başlamasından tam bir yıl sonra, Şubat ayında 30nm-sınıfı teknolojiye dayanan monolitik (tek yongalı) 4GB DDR3 DRAM cihazlarını üretmeye başladı. Bundan yalnızca iki ay sonra şirket sunucu sistemleri üreticilerine 16GB kapasiteli modüller sunmaya başladı.
Samsung yeni, 32GB kapasiteli RDIMM’i (registered dual inline memory module) ve bu ay ürün yelpazesine eklenen 8GB kapasiteli SO-DIMM’i ile (small outline dual in-line memory module) 30nm-sınıfı 4Gb çevreci DDR-3 tabanlı çözüm serisini tamamlamış oluyor.
Ayrıca, yeni DDR3 modüllerini, 30nm-sınıfı 4GB LPDDR2 DRAM’ı pazara sunmasının hemen ardından satışa sunarak Samsung artık mobil cihazlardan işletmelere yönelik sunucu sistemlerine kadar tüm pazarın 30nm-sınıfı DRAM çözümleri ihtiyacını karşılamış oluyor.
Samsung’un yeni 1.35-voltluk 32GB kapasiteli RDIMM’i saniyede 1.866 megabayt hızda çalışıyor ve 1.5 voltla çalışan 40nm-sınıfı 32GB RDIMM’e oranla %18 daha az enerji tüketiyor. 40nm-sınıfı 32GB RDIMM, CES 2011’de (Uluslararası Tüketici Elektronikleri Fuarı) çevreye duyarlı tasarımından dolayı Eco-Design Ödülü’ne layık görülmüştü. Yeni 8GB kapasiteli SO-DIMM versiyonu da 1.5 voltta çalışırken verileri 2.133 Mbps hızında işliyor.
Samsung 2012 senesinde toplam DRAM yonga üretiminin yüzden 10’undan fazlasının 4GB kapasiteli (ya da daha fazla) olmasını planlıyor.
IHS’in raporuna göre, 2012 senesinde satılan toplam DRAMlerin içinde 4GB DRAM’ların oranı yüzde 10 olacak; bu oranın 2013’te yüzde 35 ve 2014’te de yüzde 57’ye ulaşması bekleniyor.
Bu arada Samsung çevreci bellek çözümlerinin pazardaki bilinirliğini artırmaya yönelik girişimlerde bulunmaya devam edecek. Bu bağlamda global BT pazarında benimsediği “Creating Shared Value-Ortak Değerler sağlımak) yaklaşımını da destekleyecek.
Samsung’un çevreci bellek çözümleri ile ilgili daha ayrıntılı bilgi için: www.samsung.com/GreenMemory
Son Yorumlar